干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。它是硅片表面物理和化學(xué)兩種過(guò)程平衡的結(jié)果。在半導(dǎo)體刻蝕工藝中，存在著兩個(gè)：離子銑是一種純物理刻蝕，可以做到各向異性刻蝕，但不能進(jìn)行選擇性刻蝕；而濕法刻蝕如前面所述則恰恰相反。人們對(duì)這兩種過(guò)程進(jìn)行折中，得到目前廣泛應(yīng)用的一些干法刻蝕技術(shù)。這些工藝都具有各向異性刻蝕和選擇性刻蝕的特點(diǎn)。反應(yīng)離子刻蝕通過(guò)活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。硅片甩干機(jī)廠家硅片刻蝕工藝中用zui廣泛的主流刻蝕技術(shù)。

　　干法刻蝕借助等離子體中，產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個(gè)方向上的刻蝕速度不相同。濕法刻蝕是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料。通常，氮化硅、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)，二氧化硅采用濕法刻蝕技術(shù)，有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。通過(guò)刻蝕，或者是形成了圖形線條，如多晶硅條、鋁條等，或者是裸露了硅本體，為將來(lái)的選擇摻雜確定了摻雜的窗口。

　　濕刻蝕，zui普遍、也是設(shè)備成本zui低的蝕刻方法。其影響被蝕刻物之蝕刻速率的因素有三：蝕刻液濃度、蝕刻液溫度、及攪拌之有無(wú)。定性而言，增加蝕刻溫度與加入攪拌，均能有效提高蝕刻速率；但濃度之影響則較不明確。